IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Varenummer
IXFT12N100
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 48050 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT12N100
IXFT12N100 Elektroniske komponenter
IXFT12N100 Salg
IXFT12N100 Leverandør
IXFT12N100 Distributør
IXFT12N100 Datatabel
IXFT12N100 Fotos
IXFT12N100 Pris
IXFT12N100 Tilbud
IXFT12N100 Laveste pris
IXFT12N100 Søg
IXFT12N100 Indkøb
IXFT12N100 Chip