IXFT16N120P
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Varenummer
IXFT16N120P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
660W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52382 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT16N120P
IXFT16N120P Elektroniske komponenter
IXFT16N120P Salg
IXFT16N120P Leverandør
IXFT16N120P Distributør
IXFT16N120P Datatabel
IXFT16N120P Fotos
IXFT16N120P Pris
IXFT16N120P Tilbud
IXFT16N120P Laveste pris
IXFT16N120P Søg
IXFT16N120P Indkøb
IXFT16N120P Chip