IXFT18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Varenummer
IXFT18N90P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
540W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
900V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 45907 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT18N90P
IXFT18N90P Elektroniske komponenter
IXFT18N90P Salg
IXFT18N90P Leverandør
IXFT18N90P Distributør
IXFT18N90P Datatabel
IXFT18N90P Fotos
IXFT18N90P Pris
IXFT18N90P Tilbud
IXFT18N90P Laveste pris
IXFT18N90P Søg
IXFT18N90P Indkøb
IXFT18N90P Chip