IXFT58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Varenummer
IXFT58N20Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Last Time Buy
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 7394 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT58N20Q
IXFT58N20Q Elektroniske komponenter
IXFT58N20Q Salg
IXFT58N20Q Leverandør
IXFT58N20Q Distributør
IXFT58N20Q Datatabel
IXFT58N20Q Fotos
IXFT58N20Q Pris
IXFT58N20Q Tilbud
IXFT58N20Q Laveste pris
IXFT58N20Q Søg
IXFT58N20Q Indkøb
IXFT58N20Q Chip