IXFT80N10Q
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
Varenummer
IXFT80N10Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Last Time Buy
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
360W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19952 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT80N10Q
IXFT80N10Q Elektroniske komponenter
IXFT80N10Q Salg
IXFT80N10Q Leverandør
IXFT80N10Q Distributør
IXFT80N10Q Datatabel
IXFT80N10Q Fotos
IXFT80N10Q Pris
IXFT80N10Q Tilbud
IXFT80N10Q Laveste pris
IXFT80N10Q Søg
IXFT80N10Q Indkøb
IXFT80N10Q Chip