IXFT9N80Q
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
Varenummer
IXFT9N80Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverandørenhedspakke
TO-268
Effekttab (maks.)
180W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
800V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 6654 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFT9N80Q
IXFT9N80Q Elektroniske komponenter
IXFT9N80Q Salg
IXFT9N80Q Leverandør
IXFT9N80Q Distributør
IXFT9N80Q Datatabel
IXFT9N80Q Fotos
IXFT9N80Q Pris
IXFT9N80Q Tilbud
IXFT9N80Q Laveste pris
IXFT9N80Q Søg
IXFT9N80Q Indkøb
IXFT9N80Q Chip