IXTH180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
Varenummer
IXTH180N10T
Producent/Mærke
Serie
TrenchMV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXTH)
Effekttab (maks.)
480W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
151nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46595 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH180N10T
IXTH180N10T Elektroniske komponenter
IXTH180N10T Salg
IXTH180N10T Leverandør
IXTH180N10T Distributør
IXTH180N10T Datatabel
IXTH180N10T Fotos
IXTH180N10T Pris
IXTH180N10T Tilbud
IXTH180N10T Laveste pris
IXTH180N10T Søg
IXTH180N10T Indkøb
IXTH180N10T Chip