IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
Varenummer
IXTI10N60P
Producent/Mærke
Serie
PolarHV™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
TO-262 (I2PAK)
Effekttab (maks.)
200W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 18400 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTI10N60P
IXTI10N60P Elektroniske komponenter
IXTI10N60P Salg
IXTI10N60P Leverandør
IXTI10N60P Distributør
IXTI10N60P Datatabel
IXTI10N60P Fotos
IXTI10N60P Pris
IXTI10N60P Tilbud
IXTI10N60P Laveste pris
IXTI10N60P Søg
IXTI10N60P Indkøb
IXTI10N60P Chip