PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Varenummer
PMXB360ENEAZ
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
3-XDFN Exposed Pad
Leverandørenhedspakke
DFN1010D-3
Effekttab (maks.)
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 40V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11417 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afPMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ Elektroniske komponenter
PMXB360ENEAZ Salg
PMXB360ENEAZ Leverandør
PMXB360ENEAZ Distributør
PMXB360ENEAZ Datatabel
PMXB360ENEAZ Fotos
PMXB360ENEAZ Pris
PMXB360ENEAZ Tilbud
PMXB360ENEAZ Laveste pris
PMXB360ENEAZ Søg
PMXB360ENEAZ Indkøb
PMXB360ENEAZ Chip