Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Varenummer
BVSS123LT1G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandørenhedspakke
SOT-23-3
Effekttab (maks.)
225mW (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22744 PCS
Kontakt information
Nøgleord afBVSS123LT1G
BVSS123LT1G Elektroniske komponenter
BVSS123LT1G Salg
BVSS123LT1G Leverandør
BVSS123LT1G Distributør
BVSS123LT1G Datatabel
BVSS123LT1G Fotos
BVSS123LT1G Pris
BVSS123LT1G Tilbud
BVSS123LT1G Laveste pris
BVSS123LT1G Søg
BVSS123LT1G Indkøb
BVSS123LT1G Chip