FQB8N60CTM
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Varenummer
FQB8N60CTM
Producent/Mærke
Serie
QFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1255pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13669 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afFQB8N60CTM
FQB8N60CTM Elektroniske komponenter
FQB8N60CTM Salg
FQB8N60CTM Leverandør
FQB8N60CTM Distributør
FQB8N60CTM Datatabel
FQB8N60CTM Fotos
FQB8N60CTM Pris
FQB8N60CTM Tilbud
FQB8N60CTM Laveste pris
FQB8N60CTM Søg
FQB8N60CTM Indkøb
FQB8N60CTM Chip