FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Varenummer
FQD10N20CTM
Producent/Mærke
Serie
QFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
D-Pak
Effekttab (maks.)
50W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11715 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afFQD10N20CTM
FQD10N20CTM Elektroniske komponenter
FQD10N20CTM Salg
FQD10N20CTM Leverandør
FQD10N20CTM Distributør
FQD10N20CTM Datatabel
FQD10N20CTM Fotos
FQD10N20CTM Pris
FQD10N20CTM Tilbud
FQD10N20CTM Laveste pris
FQD10N20CTM Søg
FQD10N20CTM Indkøb
FQD10N20CTM Chip