FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Varenummer
FQD19N10LTM
Producent/Mærke
Serie
QFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
D-Pak
Effekttab (maks.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 29717 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afFQD19N10LTM
FQD19N10LTM Elektroniske komponenter
FQD19N10LTM Salg
FQD19N10LTM Leverandør
FQD19N10LTM Distributør
FQD19N10LTM Datatabel
FQD19N10LTM Fotos
FQD19N10LTM Pris
FQD19N10LTM Tilbud
FQD19N10LTM Laveste pris
FQD19N10LTM Søg
FQD19N10LTM Indkøb
FQD19N10LTM Chip