HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Varenummer
HGT1S10N120BNST
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Input type
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Effekt - Maks
298W
Leverandørenhedspakke
TO-263AB
Omvendt gendannelsestid (trr)
-
Aktuel - samler (Ic) (maks.)
35A
Spænding - kollektoremitter-nedbrud (maks.)
1200V
IGBT type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80A
Skiftende energi
320µJ (on), 800µJ (off)
Port opladning
100nC
Td (tænd/sluk) @ 25�C
23ns/165ns
Testtilstand
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 8368 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afHGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST Elektroniske komponenter
HGT1S10N120BNST Salg
HGT1S10N120BNST Leverandør
HGT1S10N120BNST Distributør
HGT1S10N120BNST Datatabel
HGT1S10N120BNST Fotos
HGT1S10N120BNST Pris
HGT1S10N120BNST Tilbud
HGT1S10N120BNST Laveste pris
HGT1S10N120BNST Søg
HGT1S10N120BNST Indkøb
HGT1S10N120BNST Chip