R8002ANX
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Varenummer
R8002ANX
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3 Full Pack
Leverandørenhedspakke
TO-220FM
Effekttab (maks.)
35W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
800V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.7nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11882 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afR8002ANX
R8002ANX Elektroniske komponenter
R8002ANX Salg
R8002ANX Leverandør
R8002ANX Distributør
R8002ANX Datatabel
R8002ANX Fotos
R8002ANX Pris
R8002ANX Tilbud
R8002ANX Laveste pris
R8002ANX Søg
R8002ANX Indkøb
R8002ANX Chip