STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V TO-220
Varenummer
STP10N60M2
Producent/Mærke
Serie
MDmesh™ II Plus
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220
Effekttab (maks.)
85W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 21395 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSTP10N60M2
STP10N60M2 Elektroniske komponenter
STP10N60M2 Salg
STP10N60M2 Leverandør
STP10N60M2 Distributør
STP10N60M2 Datatabel
STP10N60M2 Fotos
STP10N60M2 Pris
STP10N60M2 Tilbud
STP10N60M2 Laveste pris
STP10N60M2 Søg
STP10N60M2 Indkøb
STP10N60M2 Chip