STP165N10F4
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Varenummer
STP165N10F4
Producent/Mærke
Serie
DeepGATE™, STripFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
315W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 34236 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSTP165N10F4
STP165N10F4 Elektroniske komponenter
STP165N10F4 Salg
STP165N10F4 Leverandør
STP165N10F4 Distributør
STP165N10F4 Datatabel
STP165N10F4 Fotos
STP165N10F4 Pris
STP165N10F4 Tilbud
STP165N10F4 Laveste pris
STP165N10F4 Søg
STP165N10F4 Indkøb
STP165N10F4 Chip