Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
Se specifikationer for produktdetaljer.
TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Varenummer
TH58BYG2S3HBAI6
Producent/Mærke
Serie
Benand™
Del status
Active
Emballage
Tray
Teknologi
FLASH - NAND (SLC)
Driftstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
67-VFBGA
Leverandørenhedspakke
67-VFBGA (6.5x8)
Spænding - Forsyning
1.7 V ~ 1.95 V
Hukommelsestype
Non-Volatile
Hukommelsesstørrelse
4Gb (512M x 8)
Adgangstid
25ns
Ur frekvens
-
Hukommelsesformat
Flash
Skriv cyklustid - Word, Side
25ns
Hukommelsesgrænseflade
Parallel
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16802 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afTH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 Elektroniske komponenter
TH58BYG2S3HBAI6 Salg
TH58BYG2S3HBAI6 Leverandør
TH58BYG2S3HBAI6 Distributør
TH58BYG2S3HBAI6 Datatabel
TH58BYG2S3HBAI6 Fotos
TH58BYG2S3HBAI6 Pris
TH58BYG2S3HBAI6 Tilbud
TH58BYG2S3HBAI6 Laveste pris
TH58BYG2S3HBAI6 Søg
TH58BYG2S3HBAI6 Indkøb
TH58BYG2S3HBAI6 Chip