IRFD010PBF
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Varenummer
IRFD010PBF
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverandørenhedspakke
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effekttab (maks.)
1W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
50V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 29125 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRFD010PBF
IRFD010PBF Elektroniske komponenter
IRFD010PBF Salg
IRFD010PBF Leverandør
IRFD010PBF Distributør
IRFD010PBF Datatabel
IRFD010PBF Fotos
IRFD010PBF Pris
IRFD010PBF Tilbud
IRFD010PBF Laveste pris
IRFD010PBF Søg
IRFD010PBF Indkøb
IRFD010PBF Chip