SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Varenummer
SI3127DV-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverandørenhedspakke
6-TSOP
Effekttab (maks.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
833pF @ 20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 7005 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI3127DV-T1-GE3
SI3127DV-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI3127DV-T1-GE3 Salg
SI3127DV-T1-GE3 Leverandør
SI3127DV-T1-GE3 Distributør
SI3127DV-T1-GE3 Datatabel
SI3127DV-T1-GE3 Fotos
SI3127DV-T1-GE3 Pris
SI3127DV-T1-GE3 Tilbud
SI3127DV-T1-GE3 Laveste pris
SI3127DV-T1-GE3 Søg
SI3127DV-T1-GE3 Indkøb
SI3127DV-T1-GE3 Chip