SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Varenummer
SI3900DV-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Effekt - Maks
830mW
Leverandørenhedspakke
6-TSOP
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16244 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI3900DV-T1-E3 Salg
SI3900DV-T1-E3 Leverandør
SI3900DV-T1-E3 Distributør
SI3900DV-T1-E3 Datatabel
SI3900DV-T1-E3 Fotos
SI3900DV-T1-E3 Pris
SI3900DV-T1-E3 Tilbud
SI3900DV-T1-E3 Laveste pris
SI3900DV-T1-E3 Søg
SI3900DV-T1-E3 Indkøb
SI3900DV-T1-E3 Chip