SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Varenummer
SI4100DY-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40568 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4100DY-T1-GE3
SI4100DY-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI4100DY-T1-GE3 Salg
SI4100DY-T1-GE3 Leverandør
SI4100DY-T1-GE3 Distributør
SI4100DY-T1-GE3 Datatabel
SI4100DY-T1-GE3 Fotos
SI4100DY-T1-GE3 Pris
SI4100DY-T1-GE3 Tilbud
SI4100DY-T1-GE3 Laveste pris
SI4100DY-T1-GE3 Søg
SI4100DY-T1-GE3 Indkøb
SI4100DY-T1-GE3 Chip