SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Varenummer
SI4800BDY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
1.3W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±25V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13389 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4800BDY-T1-E3 Salg
SI4800BDY-T1-E3 Leverandør
SI4800BDY-T1-E3 Distributør
SI4800BDY-T1-E3 Datatabel
SI4800BDY-T1-E3 Fotos
SI4800BDY-T1-E3 Pris
SI4800BDY-T1-E3 Tilbud
SI4800BDY-T1-E3 Laveste pris
SI4800BDY-T1-E3 Søg
SI4800BDY-T1-E3 Indkøb
SI4800BDY-T1-E3 Chip