SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
Varenummer
SI4840BDY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
40V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52694 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4840BDY-T1-E3
SI4840BDY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4840BDY-T1-E3 Salg
SI4840BDY-T1-E3 Leverandør
SI4840BDY-T1-E3 Distributør
SI4840BDY-T1-E3 Datatabel
SI4840BDY-T1-E3 Fotos
SI4840BDY-T1-E3 Pris
SI4840BDY-T1-E3 Tilbud
SI4840BDY-T1-E3 Laveste pris
SI4840BDY-T1-E3 Søg
SI4840BDY-T1-E3 Indkøb
SI4840BDY-T1-E3 Chip