SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Varenummer
SI4866BDY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
12V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5020pF @ 6V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54622 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4866BDY-T1-E3
SI4866BDY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4866BDY-T1-E3 Salg
SI4866BDY-T1-E3 Leverandør
SI4866BDY-T1-E3 Distributør
SI4866BDY-T1-E3 Datatabel
SI4866BDY-T1-E3 Fotos
SI4866BDY-T1-E3 Pris
SI4866BDY-T1-E3 Tilbud
SI4866BDY-T1-E3 Laveste pris
SI4866BDY-T1-E3 Søg
SI4866BDY-T1-E3 Indkøb
SI4866BDY-T1-E3 Chip