SI4888DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Varenummer
SI4888DY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
1.6W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 24885 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4888DY-T1-E3
SI4888DY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4888DY-T1-E3 Salg
SI4888DY-T1-E3 Leverandør
SI4888DY-T1-E3 Distributør
SI4888DY-T1-E3 Datatabel
SI4888DY-T1-E3 Fotos
SI4888DY-T1-E3 Pris
SI4888DY-T1-E3 Tilbud
SI4888DY-T1-E3 Laveste pris
SI4888DY-T1-E3 Søg
SI4888DY-T1-E3 Indkøb
SI4888DY-T1-E3 Chip