SI7100DN-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Varenummer
SI7100DN-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
8V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3810pF @ 4V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46458 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7100DN-T1-E3
SI7100DN-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7100DN-T1-E3 Salg
SI7100DN-T1-E3 Leverandør
SI7100DN-T1-E3 Distributør
SI7100DN-T1-E3 Datatabel
SI7100DN-T1-E3 Fotos
SI7100DN-T1-E3 Pris
SI7100DN-T1-E3 Tilbud
SI7100DN-T1-E3 Laveste pris
SI7100DN-T1-E3 Søg
SI7100DN-T1-E3 Indkøb
SI7100DN-T1-E3 Chip