SI7110DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Varenummer
SI7110DN-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
1.5W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 20132 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7110DN-T1-E3
SI7110DN-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7110DN-T1-E3 Salg
SI7110DN-T1-E3 Leverandør
SI7110DN-T1-E3 Distributør
SI7110DN-T1-E3 Datatabel
SI7110DN-T1-E3 Fotos
SI7110DN-T1-E3 Pris
SI7110DN-T1-E3 Tilbud
SI7110DN-T1-E3 Laveste pris
SI7110DN-T1-E3 Søg
SI7110DN-T1-E3 Indkøb
SI7110DN-T1-E3 Chip