SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Varenummer
SI9407BDY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
5W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 30V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46418 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI9407BDY-T1-E3 Salg
SI9407BDY-T1-E3 Leverandør
SI9407BDY-T1-E3 Distributør
SI9407BDY-T1-E3 Datatabel
SI9407BDY-T1-E3 Fotos
SI9407BDY-T1-E3 Pris
SI9407BDY-T1-E3 Tilbud
SI9407BDY-T1-E3 Laveste pris
SI9407BDY-T1-E3 Søg
SI9407BDY-T1-E3 Indkøb
SI9407BDY-T1-E3 Chip