SIB900EDK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Varenummer
SIB900EDK-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Effekt - Maks
3.1W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SC-75-6L Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 53998 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIB900EDK-T1-GE3
SIB900EDK-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIB900EDK-T1-GE3 Salg
SIB900EDK-T1-GE3 Leverandør
SIB900EDK-T1-GE3 Distributør
SIB900EDK-T1-GE3 Datatabel
SIB900EDK-T1-GE3 Fotos
SIB900EDK-T1-GE3 Pris
SIB900EDK-T1-GE3 Tilbud
SIB900EDK-T1-GE3 Laveste pris
SIB900EDK-T1-GE3 Søg
SIB900EDK-T1-GE3 Indkøb
SIB900EDK-T1-GE3 Chip