Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
Se specifikationer for produktdetaljer.
SIHB12N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Varenummer
SIHB12N60ET1-GE3
Producent/Mærke
Serie
E
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (D²Pak)
Effekttab (maks.)
147W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
937pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 39316 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHB12N60ET1-GE3
SIHB12N60ET1-GE3 Elektroniske komponenter
SIHB12N60ET1-GE3 Salg
SIHB12N60ET1-GE3 Leverandør
SIHB12N60ET1-GE3 Distributør
SIHB12N60ET1-GE3 Datatabel
SIHB12N60ET1-GE3 Fotos
SIHB12N60ET1-GE3 Pris
SIHB12N60ET1-GE3 Tilbud
SIHB12N60ET1-GE3 Laveste pris
SIHB12N60ET1-GE3 Søg
SIHB12N60ET1-GE3 Indkøb
SIHB12N60ET1-GE3 Chip