SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Varenummer
SIHB21N65EF-GE3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263)
Effekttab (maks.)
208W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2322pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 8881 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHB21N65EF-GE3
SIHB21N65EF-GE3 Elektroniske komponenter
SIHB21N65EF-GE3 Salg
SIHB21N65EF-GE3 Leverandør
SIHB21N65EF-GE3 Distributør
SIHB21N65EF-GE3 Datatabel
SIHB21N65EF-GE3 Fotos
SIHB21N65EF-GE3 Pris
SIHB21N65EF-GE3 Tilbud
SIHB21N65EF-GE3 Laveste pris
SIHB21N65EF-GE3 Søg
SIHB21N65EF-GE3 Indkøb
SIHB21N65EF-GE3 Chip