SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Varenummer
SIHD12N50E-GE3
Producent/Mærke
Serie
E
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
D-PAK (TO-252AA)
Effekttab (maks.)
114W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
550V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22596 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHD12N50E-GE3
SIHD12N50E-GE3 Elektroniske komponenter
SIHD12N50E-GE3 Salg
SIHD12N50E-GE3 Leverandør
SIHD12N50E-GE3 Distributør
SIHD12N50E-GE3 Datatabel
SIHD12N50E-GE3 Fotos
SIHD12N50E-GE3 Pris
SIHD12N50E-GE3 Tilbud
SIHD12N50E-GE3 Laveste pris
SIHD12N50E-GE3 Søg
SIHD12N50E-GE3 Indkøb
SIHD12N50E-GE3 Chip