SIHF12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Varenummer
SIHF12N65E-GE3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3 Full Pack
Leverandørenhedspakke
TO-220 Full Pack
Effekttab (maks.)
33W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1224pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40172 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 Elektroniske komponenter
SIHF12N65E-GE3 Salg
SIHF12N65E-GE3 Leverandør
SIHF12N65E-GE3 Distributør
SIHF12N65E-GE3 Datatabel
SIHF12N65E-GE3 Fotos
SIHF12N65E-GE3 Pris
SIHF12N65E-GE3 Tilbud
SIHF12N65E-GE3 Laveste pris
SIHF12N65E-GE3 Søg
SIHF12N65E-GE3 Indkøb
SIHF12N65E-GE3 Chip