SIHG050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
Varenummer
SIHG050N60E-GE3
Producent/Mærke
Serie
E
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247AC
Effekttab (maks.)
278W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3459pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 10246 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHG050N60E-GE3
SIHG050N60E-GE3 Elektroniske komponenter
SIHG050N60E-GE3 Salg
SIHG050N60E-GE3 Leverandør
SIHG050N60E-GE3 Distributør
SIHG050N60E-GE3 Datatabel
SIHG050N60E-GE3 Fotos
SIHG050N60E-GE3 Pris
SIHG050N60E-GE3 Tilbud
SIHG050N60E-GE3 Laveste pris
SIHG050N60E-GE3 Søg
SIHG050N60E-GE3 Indkøb
SIHG050N60E-GE3 Chip