SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Varenummer
SIHG33N65E-GE3
Producent/Mærke
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247AC
Effekttab (maks.)
313W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
32.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 49804 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Elektroniske komponenter
SIHG33N65E-GE3 Salg
SIHG33N65E-GE3 Leverandør
SIHG33N65E-GE3 Distributør
SIHG33N65E-GE3 Datatabel
SIHG33N65E-GE3 Fotos
SIHG33N65E-GE3 Pris
SIHG33N65E-GE3 Tilbud
SIHG33N65E-GE3 Laveste pris
SIHG33N65E-GE3 Søg
SIHG33N65E-GE3 Indkøb
SIHG33N65E-GE3 Chip