SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Varenummer
SIHU3N50D-E3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverandørenhedspakke
TO-251AA
Effekttab (maks.)
69W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
500V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til chen_hx1688@hotmail.com, vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30137 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 Elektroniske komponenter
SIHU3N50D-E3 Salg
SIHU3N50D-E3 Leverandør
SIHU3N50D-E3 Distributør
SIHU3N50D-E3 Datatabel
SIHU3N50D-E3 Fotos
SIHU3N50D-E3 Pris
SIHU3N50D-E3 Tilbud
SIHU3N50D-E3 Laveste pris
SIHU3N50D-E3 Søg
SIHU3N50D-E3 Indkøb
SIHU3N50D-E3 Chip