Køb Vishay Siliconix SIHU6N80E-GE3 MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

SIHU6N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Varenummer

SIHU6N80E-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

Del status

Active

Emballage

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke/etui

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Leverandørenhedspakke

IPAK (TO-251)

Effekttab (maks.)

78W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

800V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

5.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

940 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

827pF @ 100V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 10848 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU3N50D-E3