SIJA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
Varenummer
SIJA52DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
48W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
40V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 20V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7150pF @ 20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38527 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIJA52DP-T1-GE3
SIJA52DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIJA52DP-T1-GE3 Salg
SIJA52DP-T1-GE3 Leverandør
SIJA52DP-T1-GE3 Distributør
SIJA52DP-T1-GE3 Datatabel
SIJA52DP-T1-GE3 Fotos
SIJA52DP-T1-GE3 Pris
SIJA52DP-T1-GE3 Tilbud
SIJA52DP-T1-GE3 Laveste pris
SIJA52DP-T1-GE3 Søg
SIJA52DP-T1-GE3 Indkøb
SIJA52DP-T1-GE3 Chip