SIR104DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Varenummer
SIR104DP-T1-RE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4230pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 23021 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIR104DP-T1-RE3
SIR104DP-T1-RE3 Elektroniske komponenter
SIR104DP-T1-RE3 Salg
SIR104DP-T1-RE3 Leverandør
SIR104DP-T1-RE3 Distributør
SIR104DP-T1-RE3 Datatabel
SIR104DP-T1-RE3 Fotos
SIR104DP-T1-RE3 Pris
SIR104DP-T1-RE3 Tilbud
SIR104DP-T1-RE3 Laveste pris
SIR104DP-T1-RE3 Søg
SIR104DP-T1-RE3 Indkøb
SIR104DP-T1-RE3 Chip