Køb Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

DataSheets

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Varenummer

SIR610DP-T1-RE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Del status

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® SO-8

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® SO-8

Effekttab (maks.)

104W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

200V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

35.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 31421 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606DP-T1-GE3