Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Varenummer
SIR626LDP-T1-RE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 30V
Vgs (maks.)
±20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22113 PCS
Kontakt information
Nøgleord afSIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3 Elektroniske komponenter
SIR626LDP-T1-RE3 Salg
SIR626LDP-T1-RE3 Leverandør
SIR626LDP-T1-RE3 Distributør
SIR626LDP-T1-RE3 Datatabel
SIR626LDP-T1-RE3 Fotos
SIR626LDP-T1-RE3 Pris
SIR626LDP-T1-RE3 Tilbud
SIR626LDP-T1-RE3 Laveste pris
SIR626LDP-T1-RE3 Søg
SIR626LDP-T1-RE3 Indkøb
SIR626LDP-T1-RE3 Chip