SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
Varenummer
SIR800ADP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3415pF @ 10V
Vgs (maks.)
+12V, -8V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 23730 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIR800ADP-T1-GE3
SIR800ADP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIR800ADP-T1-GE3 Salg
SIR800ADP-T1-GE3 Leverandør
SIR800ADP-T1-GE3 Distributør
SIR800ADP-T1-GE3 Datatabel
SIR800ADP-T1-GE3 Fotos
SIR800ADP-T1-GE3 Pris
SIR800ADP-T1-GE3 Tilbud
SIR800ADP-T1-GE3 Laveste pris
SIR800ADP-T1-GE3 Søg
SIR800ADP-T1-GE3 Indkøb
SIR800ADP-T1-GE3 Chip