SIR814DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Varenummer
SIR814DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
40V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 53884 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIR814DP-T1-GE3
SIR814DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIR814DP-T1-GE3 Salg
SIR814DP-T1-GE3 Leverandør
SIR814DP-T1-GE3 Distributør
SIR814DP-T1-GE3 Datatabel
SIR814DP-T1-GE3 Fotos
SIR814DP-T1-GE3 Pris
SIR814DP-T1-GE3 Tilbud
SIR814DP-T1-GE3 Laveste pris
SIR814DP-T1-GE3 Søg
SIR814DP-T1-GE3 Indkøb
SIR814DP-T1-GE3 Chip