SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Varenummer
SIRB40DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
46.2W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
40V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19377 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIRB40DP-T1-GE3 Salg
SIRB40DP-T1-GE3 Leverandør
SIRB40DP-T1-GE3 Distributør
SIRB40DP-T1-GE3 Datatabel
SIRB40DP-T1-GE3 Fotos
SIRB40DP-T1-GE3 Pris
SIRB40DP-T1-GE3 Tilbud
SIRB40DP-T1-GE3 Laveste pris
SIRB40DP-T1-GE3 Søg
SIRB40DP-T1-GE3 Indkøb
SIRB40DP-T1-GE3 Chip