SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Varenummer
SIRC10DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
43W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
Schottky Diode (Isolated)
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1873pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40698 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIRC10DP-T1-GE3 Salg
SIRC10DP-T1-GE3 Leverandør
SIRC10DP-T1-GE3 Distributør
SIRC10DP-T1-GE3 Datatabel
SIRC10DP-T1-GE3 Fotos
SIRC10DP-T1-GE3 Pris
SIRC10DP-T1-GE3 Tilbud
SIRC10DP-T1-GE3 Laveste pris
SIRC10DP-T1-GE3 Søg
SIRC10DP-T1-GE3 Indkøb
SIRC10DP-T1-GE3 Chip