SIS903DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Varenummer
SIS903DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen III
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Maks
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET type
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 45463 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIS903DN-T1-GE3 Salg
SIS903DN-T1-GE3 Leverandør
SIS903DN-T1-GE3 Distributør
SIS903DN-T1-GE3 Datatabel
SIS903DN-T1-GE3 Fotos
SIS903DN-T1-GE3 Pris
SIS903DN-T1-GE3 Tilbud
SIS903DN-T1-GE3 Laveste pris
SIS903DN-T1-GE3 Søg
SIS903DN-T1-GE3 Indkøb
SIS903DN-T1-GE3 Chip