SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8
Varenummer
SISA01DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3490pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
+16V, -20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 24703 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISA01DN-T1-GE3 Salg
SISA01DN-T1-GE3 Leverandør
SISA01DN-T1-GE3 Distributør
SISA01DN-T1-GE3 Datatabel
SISA01DN-T1-GE3 Fotos
SISA01DN-T1-GE3 Pris
SISA01DN-T1-GE3 Tilbud
SISA01DN-T1-GE3 Laveste pris
SISA01DN-T1-GE3 Søg
SISA01DN-T1-GE3 Indkøb
SISA01DN-T1-GE3 Chip