Køb Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

SISA18DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Varenummer

SISA18DN-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® 1212-8

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® 1212-8

Effekttab (maks.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

30V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

38.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

+20V, -16V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 47987 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SISA01DN-T1-GE3