SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
Varenummer
SISH112DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8SH
Effekttab (maks.)
1.5W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2610pF @ 15V
Vgs (maks.)
±12V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13451 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISH112DN-T1-GE3
SISH112DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISH112DN-T1-GE3 Salg
SISH112DN-T1-GE3 Leverandør
SISH112DN-T1-GE3 Distributør
SISH112DN-T1-GE3 Datatabel
SISH112DN-T1-GE3 Fotos
SISH112DN-T1-GE3 Pris
SISH112DN-T1-GE3 Tilbud
SISH112DN-T1-GE3 Laveste pris
SISH112DN-T1-GE3 Søg
SISH112DN-T1-GE3 Indkøb
SISH112DN-T1-GE3 Chip